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2023-08-082023-02-022024-12-092022-12-212023-12-06詳細介紹
900nm-2600nmPD探測器
2微米探測，探測波長范圍900nm-2600nm,
光敏面 1mm
大球管帽有利于收光
廣泛應用于氣體檢測接收端
1742nm 氯化氫
2004nm 二氧化碳
2121.8nm 一氧化碳
2122nm N2O
2326.8nm 氫氣
InGaAs（銦鎵砷）是一種重要的半導體材料，廣泛應用于光電探測領域，尤其在高速探測、紅外成像和氣體分析中表現突出
。其器件具有寬光譜響應范圍（400-2600 nm）、高量子效率及小型化封裝等特點，近年來在超薄結構設計和技術集成方面取得顯著進展。
1. 材料特性與核心應用
InGaAs由銦、鎵、砷元素組成，能帶結構可調，可實現可見光到短波紅外（SWIR）的寬光譜探測。傳統探測器通常覆蓋800-1700 nm波長，適用于光纖通信、激光雷達和氣體檢測（如CH4、CO2分析、H2氫氣分析）。新型設計通過結構優化，將響應范圍擴展至400-2600 nm，增強了多場景適用性。
2. 主流產品類型及封裝
市場上InGaAs探測器產品多樣化，包括：
TO5封裝（2mm直徑）：適用于工業級高靈敏探測；
TO-CAN封裝（500μm或1mm光敏面）：體積小、成本低，適合集成化設備；
TO46平窗封裝（1mm直徑）：兼顧透光性與機械強度。不同封裝滿足從實驗室到工業現場的多層次需求，價格跨度從幾十元到數萬元不等，深圳等地為主要銷售集散地。
900nm-2600nmPD探測器，實物圖如下：
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